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元件参数资料
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参数目录33407
> BSV52LT1G TRANS NPN 12V 100MA SOT-23
型号:
BSV52LT1G
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
ON Semiconductor
描述:
TRANS NPN 12V 100MA SOT-23
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路
BSV52LT1G PDF
产品变化通告
Possible Adhesion Issue 11/July/2008
Wire Change 08/Jun/2009
标准包装
1
系列
-
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大)
100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
12V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)
400mV @ 5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大)
-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
40 @ 10mA,1V
功率 - 最大
225mW
频率 - 转换
400MHz
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装
SOT-23-3(TO-236)
包装
剪切带 (CT)
其它名称
BSV52LT1GOSCT
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